产品详情
简单介绍：
STP-XA3203C ISO320F 爱德华磁悬浮涡轮分子泵基于新的平台设计，提供功能以改善热管理，从而增强在严苛制程中的性能，提高大制程流能力，并减少腐蚀和沉积的影响。
STP-XA3203C ISO320F 爱德华磁悬浮涡轮分子泵为高真空到 2300 sccm 制程流的制程范围内提供高性能，并提高气体的吞吐量。
详情介绍：
概述
STP-XA3203C 涡轮泵为高真空到 2300 sccm 制程流的制程范围内提供高性能，并提高气体的吞吐量。
此泵基于新的平台设计，提供功能以改善热管理，从而增强在严苛制程中的性能，提高大制程流能力，并减少腐蚀和沉积的影响。
其出色的性能既适用于温和的应用环境，也适用于严苛的环境，例如半导体刻蚀、注入、光刻和 LCD 制程。
应用
金属（铝）、钨和电介质（氧化物）以及多晶硅等离子刻蚀（氯化物、氟化物和溴化物）
电子回旋共振 (ECR) 刻蚀
薄膜沉积 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
溅射
离子注入源，射束线泵送端点站
MBE
扩散
光致抗蚀剂脱模
晶体/晶膜生长
晶片检查
负载锁真空腔
科学仪器：表面分析、质谱分析、电子显微镜
高能物理：射束线、加速器
STP-XA3203C 涡轮泵为高真空到 2300 sccm 制程流的制程范围内提供高性能，并提高气体的吞吐量。
此泵基于新的平台设计，提供功能以改善热管理，从而增强在严苛制程中的性能，提高大制程流能力，并减少腐蚀和沉积的影响。
其出色的性能既适用于温和的应用环境，也适用于严苛的环境，例如半导体刻蚀、注入、光刻和 LCD 制程。
应用
金属（铝）、钨和电介质（氧化物）以及多晶硅等离子刻蚀（氯化物、氟化物和溴化物）
电子回旋共振 (ECR) 刻蚀
薄膜沉积 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
溅射
离子注入源，射束线泵送端点站
MBE
扩散
光致抗蚀剂脱模
晶体/晶膜生长
晶片检查
负载锁真空腔
科学仪器：表面分析、质谱分析、电子显微镜
高能物理：射束线、加速器
放射线应用：融合系统、回旋
功能和优势
的转子设计
增强的 H2、N2 和 Ar 性能
改进了在高真空到 2300 sccm 制程压力范围内的性能
免维护
5 轴磁悬浮系统
无污染
低振动
性转矩管理
获得的转矩减少机械装置
优化的温度管理系统
高温 TMS 能力
低沉积
内置冷却机械装置
更高的气体吞吐量（加热和未加热）
延长寿命
可用于严苛制程
符合 SEMI®，具有 CE 标记，列于 UL 中
数据
| 入口法兰 | ISO320F |
| 抽速 |
|
| N2 | 3200 ls-1 |
| H2 | 2300 ls-1 |
| 压缩比 |
|
| N2 | >108 |
| H2 | >6 x 103 |
| 极限压力 | 10-7 Pa |
| 大允许前级压力 | 266 Pa |
| 大允许气体流量 |
|
| N2（水冷却） | 2300 sccm |
|
|
(3.8 Pam3s-1) |
| Ar（水冷却） | 1900 sccm |
|
|
(3.2 Pam3s-1) |
| 额定速度 | 27500 rpm |
| 启动时间 | 8 min |
| 固定位置 | 任何方向 |
| 水冷却 |
|
| 流量 | 3 lmin-1 |
| 温度 | 5-25 °C (41-77 °F) |
| 压力 | 0.3 MPa |
| 的吹扫气体流量 | 50 sccm |
|
|
(8.4 x 10-2 Pam3s-1) |
| 输入电压 | 200 至 240 (± 10) V 交流 |
| 功耗 | 1.5 kVA |
| 泵重量 | 80 kg (176 lb) |
| 控制器重量 | 12 kg (26.4 lb) |
