产品详情
简单介绍：
STPH301C 高性能爱德华磁悬浮涡轮分子泵大的制程灵活性
STPH301C 高性能爱德华磁悬浮涡轮分子泵任意方向操作
详情介绍：
概述
Edwards 的高性能 STPH301C 涡轮分子泵是为严苛的半导体应用而设计的。这种泵经过实践检验的性和的性能可以实现大的制程灵活性。STPH301C 已经由半导体和磁介质行业的大型设备制造商投入使用，并得到了。
应用
金属（铝）、钨和电介质（氧化物）以及多晶硅等离子刻蚀（氯化物、氟化物和溴化物）
电子回旋共振 (ECR) 刻蚀
薄膜沉积 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
溅射
离子注入源，射束线泵送端点站
MBE
扩散
光致抗蚀剂脱模
晶体/晶膜生长
晶片检查
负载锁真空腔
科学仪器：表面分析、质谱分析、电子显微镜
高能物理：射束线、加速器
放射线应用：融合系统、回旋
功能和优势
的转子
更高的气体吞吐量
大的制程灵活性
无油
低振动
高度
免维护
可用于严苛制程
使用寿命延长
的控制器设计
自动调整
自行诊断功能
直流电机驱动
无电池运行
紧凑型设计
占地面积小
半机架控制器
5 轴磁悬浮系统
无污染
少维护
Edwards 的高性能 STPH301C 涡轮分子泵是为严苛的半导体应用而设计的。这种泵经过实践检验的性和的性能可以实现大的制程灵活性。STPH301C 已经由半导体和磁介质行业的大型设备制造商投入使用，并得到了。
应用
金属（铝）、钨和电介质（氧化物）以及多晶硅等离子刻蚀（氯化物、氟化物和溴化物）
电子回旋共振 (ECR) 刻蚀
薄膜沉积 CVD、PECVD、ECRCVD、MOCVD
溅射
离子注入源，射束线泵送端点站
MBE
扩散
光致抗蚀剂脱模
晶体/晶膜生长
晶片检查
负载锁真空腔
科学仪器：表面分析、质谱分析、电子显微镜
高能物理：射束线、加速器
放射线应用：融合系统、回旋
功能和优势
的转子
更高的气体吞吐量
大的制程灵活性
无油
低振动
高度
免维护
可用于严苛制程
使用寿命延长
的控制器设计
自动调整
自行诊断功能
直流电机驱动
无电池运行
紧凑型设计
占地面积小
半机架控制器
5 轴磁悬浮系统
无污染
少维护
任意方向操作
数据
| 入口法兰 | ISO100K |
| KF40 | |
| 吹扫口 | KF10 |
| 水冷却接头 | PT1/4 |
| 抽速 |
|
| N2 | 300 ls-1 |
| H2 | 200 ls-1 |
| 压缩比 |
|
| N2 | >108 |
| H2 | 103 |
| 加热时的极限压力 | 10-7 Pa |
|
|
(10-9 Torr) |
| 大连续压力 | 660 Pa |
|
|
(5 Torr) |
| 大氮气吞吐量 | 2500 sccm |
| 额定速度 | 48000 rpm |
| 启动时间 | 4 分钟 |
| 高入口法兰温度 | 120 °C |
| 输入电压 | 100 至 120 (± 10) V 交流或 |
|
|
200 至 240 (± 10) V 交流 |
| 功耗 | 0.6 kVA |
| 泵重量 | 15 kg |
| 控制器重量 | 9 kg |
